Universität im Yasni Exposé von Hubert Scheffler

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Hubert Scheffler, 62, IT - Architekt @ IT@M, Murnau

Land: Deutschland, Sprache: Deutsch
Ich biete: IT-Architektur
Hubert Scheffler @ IT@M, Murnau

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14 Informationen zu Hubert Scheffler

Identification of deep levels in liquid‐encapsulation Czochralski‐grown Fe‐ and Zn‐doped InP: A proof of the nonexistence of a Fe4+/Fe3+ donor level | Browse Journal - Journal of Applied Physics

T. Wolf1, D. Drews1, H. Scheffler1, D. Bimberg1, F. Mosel2, P. Kipfer2, and G. Müller2 1Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 1000 Berlin 12, Germany 2Institut für Werkstoffwissenschaften, Universität Erlangen‐Nürnberg, Martensstrasse 7, 8520 Erlangen, Germany map (Received 25 March 1992; accepted 24 August 1992)
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jap.aip.org 27.09.10  +  

Ungültige URL: Rhodium‐ and iridium‐related deep levels in In0.53Ga0.47As

Srocka, B. Scheffler, H. Bimberg, D. Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
Hubert Scheffler @ Murnau
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ieeexplore.ieee.org 27.09.10  +  

Field effect on electron emission from the deep Ti donor level in InP - Phys. Rev. B 45, 4043 (1992)

N. Baber, H. Scheffler, A. Ostmann, T. Wolf, and D. Bimberg Institut für Festkörperphysik I, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 1000 Berlin 12, Federal Republic of Germany Received 3 July 1991; published in the issue dated 15 February 1992
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prb.aps.org 27.09.10  +  

Deep Ti donor in GaAs - Applied Physics Letters

H. Scheffler1, W. Korb1, D. Bimberg1, and W. Ulrici2 1Institut für Festkörperphysik 1, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 1000 Berlin 12, Federal Republic of Germany map 2Akademie der Wissenschaften der DDR, Zentralinstitut für Elektronenphysik, 1086 Berlin, German Democratic Republic (Received 5 March 1990; accepted 9 July 1990) https://doi.org/10.1063/1.103470
Hubert Scheffler @ Murnau
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apl.aip.org 27.09.10  +  

Fe and Ti doping of InP grown by metalorganic chemical‐vapor deposition for the fabrication of thermally stable high‐resistivity layers | Browse Journal - Journal of Applied Physics

T. Wolf1, T. Zinke1, A. Krost1, H. Scheffler1, H. Ullrich1, D. Bimberg1, and P. Harde2 1Institut für Festköperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany 2Heinrich‐Hertz‐Institut für Nachrichtentechnik, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany map (Received 19 April 1993; accepted 21 December 1993)
Hubert Scheffler @ Murnau
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jap.aip.org 27.09.10  +  

Deep levels in hafnium- and zirconium-doped indium phosphide - Phys. Rev. B 51, 14142 (1995)

H. Scheffler Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany N. Baber Semiconductor Physics Laboratory, Department of Physics, Quaid-i-Azam University, Islamabad, Pakistan A. Dadgar and D. Bimberg Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstrasse 36, 10623 Berlin, Germany J. Winterfeld and H. Schumann Institut für Anorganische und Analytische Chemie, Technische Universität Berlin, Strasse des 17, Juni 115, 10623 Berlin, Germany Received 19 December 1994; published in the issue dated 15 May 1995
Hubert Scheffler @ Murnau
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prb.aps.org 27.09.10  +  

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